GB/T 33886—2017.
1范圍
GB/T 33886規(guī)定了工業(yè)電子內(nèi)窺鏡檢測(cè)儀(以下簡(jiǎn)稱電子內(nèi)窺鏡)的命名,技術(shù)要求,試驗(yàn)方法、檢驗(yàn)規(guī)則.標(biāo)志.使用說明書.包裝、運(yùn)輸和貯存。
GB/T 33886適用于工業(yè)電子內(nèi)窺鏡檢測(cè)儀。
2規(guī)范性引用文件
下列文件對(duì)于本文件的應(yīng)用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,僅注日期的版本適用于本文件。凡是不注日期的引用文件,其較新版本(包括所有的修改單)適用于本文件。
GB/T 191包裝儲(chǔ)運(yùn)圖示標(biāo)志
GB/T 9969工業(yè)產(chǎn)品使用說明書總則
GB/T 12085.1光學(xué)和光學(xué)儀器環(huán)境試驗(yàn)方法第1部分r術(shù)語(yǔ)、試驗(yàn)范圍GB/T 13384―機(jī)電產(chǎn)品包裝通用技術(shù)條件
3術(shù)語(yǔ)和定義
GB/T 12085.1界定的以及下列術(shù)語(yǔ)和定義適用于本文件。
3.1
成像器件imaging device-
將圖像光信號(hào)轉(zhuǎn)換成電信號(hào)的光電傳感器。目前主要分為CCD和CMOS兩大類。
3.2
電荷藕合器件charge coupled device;CCD
一種利用電荷耦合技術(shù)制作的,將光信號(hào)轉(zhuǎn)換為電信號(hào)的電子器件。
3.3
互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體complementary metal oxide semiconductor;CMOs
一種半導(dǎo)體技術(shù),可以將成對(duì)的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)集成在一塊硅片上。其各種參數(shù)的設(shè)定,要使用專門的程序。
3.4
工業(yè)電子內(nèi)窺鏡檢測(cè)儀industrial electronic endoscopic detector
成像器件將物鏡系統(tǒng)生成的圖像信息轉(zhuǎn)換成電信號(hào)并通過屏幕顯示。由此,用于工業(yè)領(lǐng)域?qū)Ρ粰z測(cè)物體內(nèi)表面進(jìn)行檢測(cè)的儀器。
3.5
分辨力resolution
系統(tǒng)終端圖像所具有解析觀察目標(biāo)細(xì)節(jié)的能力。

檢測(cè)流程步驟

溫馨提示：以上內(nèi)容僅供參考使用，更多檢測(cè)需求請(qǐng)咨詢客服。