檢測報告圖片模板：
檢測執(zhí)行標準信息一覽：
標準簡介：本標準規(guī)定了用高分辨X 射線衍射測量GaAs襯底上AlGaAs外延層中Al含量的試驗方法。本方法適用于在未摻雜GaAs襯底<001>方向上生長的AlGaAs外延層中Al含量的測定,使用本方法測量Al元素含量時,AlGaAs外延層厚度應(yīng)大于300nm。
標準號：GB/T 24576-2009
標準名稱：高分辯率X射線衍射測量GaAs襯底生長的AlGaAs中Al成分的試驗方法
英文名稱：Test method for measuring the Al fraction in AlGaAs on GaAs substrates by high resolution X-ray diffraction
標準類型：國家標準
標準性質(zhì)：推薦性
標準狀態(tài)：現(xiàn)行
發(fā)布日期：2009-10-30
實施日期：2010-06-01
中國標準分類號（CCS）：冶金>>半金屬與半導(dǎo)體材料>>H80半金屬與半導(dǎo)體材料綜合
國際標準分類號（ICS）：電氣工程>>29.045半導(dǎo)體材料
起草單位：信息產(chǎn)業(yè)部專用材料質(zhì)量監(jiān)督檢驗中心、中國電子科技集團公司第四十六研究所
歸口單位：全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標準化技術(shù)委員會材料分技術(shù)委員會
發(fā)布單位：國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫.
免責(zé)聲明：(更多標準請先聯(lián)系客服查詢！)
1.本站標準庫為非營利性質(zhì)，僅供各行人士相互交流、學(xué)習(xí)使用，使用標準請以正式出版的版本為準。
2.全部標準資料均來源于網(wǎng)絡(luò)，不保證文件的準確性和完整性，如因使用文件造成損失，本站不承擔(dān)任何責(zé)任。
3.全部標準資料均來源于網(wǎng)絡(luò)，本站不承擔(dān)任何技術(shù)及版權(quán)問題，如有相關(guān)內(nèi)容侵權(quán)，請聯(lián)系我們刪除。
